SKKM200GAL123DKLD adalah IGLE dari Semititras M Seies Semikron, yang direka untuk menukar kuasa kuasa tinggi yang boleh dipercayai.Ditaraf pada 200A, ia menyatukan ciri perlindungan yang kuat dengan reka bentuk terma yang cekap untuk mengendalikan aplikasi yang menuntut.Dengan Cal Diodes, baseplate DCB, dan penari penebat yang luas, ia menawarkan operasi yang selamat, stabil, dan tahan lama.Artikel ini melihat pengilang, ciri, kegunaan, butiran kelebihan, kelebihan, penyelesaian yang biasa, dan alternatif yang boleh dilakukan.
Katalog
The
SKM200GAL123DKLD
SKM200GAL123DKLD
SEMIKRON
IGBT Modules
In Stock: 5100 pcs
Dari Semikron adalah modul IBT yang tahan lama di Semititrans M Seies, dibuat untuk menukar kuasa tinggi yang sukar.Ia membawa kira-kira 200A dan menggabungkan IGB dengan diod freewheeling terbina dalam dalam satu unit.Modul ini direka dengan induktansi yang rendah, dan operasi selak, memberikan prestasi yang boleh dipercayai dalam pemacu, penyongsang, bekalan kuasa, dan penukar.
Diod Calnya membantu mengurangkan penukaran kurang, manakala baseeplat DCB meningkatkan pelesapan dan penebat haba, menjadikannya sesuai untuk kegunaan jangka panjang.Bahagian "DKLD" rujukan nama kepada variasi atau perincian pembungkusan tetapi tidak mengubah fungsi utamanya.
Jika anda berminat untuk membeli SKM200GAL123DKLD, sila hubungi kami untuk harga dan kebolehpercayaan.
Modul SKKM200GAL123DKLD IGT dihasilkan oleh Semikron International GmbH, Jerman yang mengetahui dengan baik yang mengkhususkan diri dalam semikonduktor kuasa.Semikron, yang kini beroperasi Danfoss selepas penggabungannya pada tahun 2022, adalah ibu pejabat di Nuremberg, Jerman.Syarikat ini mempunyai Glover yang kuat dengan kemudahan pengeluaran di Jerman, Slovakia, China, dan lokasi lain.Ia direkodkan untuk menghasilkan penyelesaian elektronik kuasa yang boleh dibebankan dan tidak bersalah, penerus, dan asstricies kuasa, sistem tenaga boleh diperbaharui, autumasi perindustrian, dan bekalan kuasa.
• Input Mosan (voltan terkawal) -Modul ini menggunakan input MOS-Gate gateted, yang akan dikawal oleh voltan dan bukannya semasa.Ini memastikan keperluan kuasa pemacu yang rendah dan litar kawalan yang lebih mudah.
• N -saluran, silikon homogen (SI) -Dibina dengan homogen N-saluran, modul ini menyediakan tingkah laku penukaran yang konsisten dan cekap, meningkatkan kebolehpercayaan dan prestasi.
• Kes induktansi rendah -Pakej ini direka untuk meminimumkan indukasi innal.Ini membantu mengurangkan kerugian dan gangguan elektromagnet (EMI), menjadikan modul lebih cekap dalam kekerapan tinggi.
• Hilang ekor arus dengan pergantungan suhu rendah -Peranti ini menghancurkan turn-off durrent semasa ekor minimum, dan prestasinya tetap stabil merentasi variasi suhu, yang membawa kepada kecekapan yang lebih tinggi dan operasi yang boleh diramal.
• Keupayaan litar pintas yang tinggi (membatasi diri hingga 6 × iNom) -Ia tidak dapat menahan peristiwa litar pintas sehingga enam masa nominal arus nominal tanpa faialure, meningkatkan perlindungan sistem dan keteguhan.
• selak percuma -Peranti ini direka untuk menghidap keadaan selak, yang boleh menyebabkan kerosakan kekal atau kerosakan dalam modul kuasa.
• Dioades Cal Inverse yang cepat & lembut -Pembekal Diod Cal (Kawalan Aksial Kawalan) yang bersepadu dengan ciri -ciri pemulihan lembut, tekanan red tr pada komponen lain dan bunyi penukaran yang rendah.
• Baseplate tembaga terpencil menggunakan teknologi DCB -Baseplate dibina dengan ikatan tembaga langsung (DCB), yang memastikan pengasingan elektrik yang sangat baik dan kekonduksian terma.Ini meningkatkan pelesapan haba dan kebolehpercayaan peranti.
• Pelepasan besar (13 mm) dan jarak creepage (20 mm) -Dengan pelepasan elektrik yang luas dan jarak creepage, modul ini memberikan penebat yang kuat, memastikan operasi selamat berlaku dalam persekitaran voltan tinggi.
• Bekalan kuasa mod beralih (SPP)
Digunakan untuk menukar dan mengawal kuasa DC voltan tinggi melemparkan kitaran ON / OFF yang cepat.
• Pemacu servo dan robot DC
Sesuai untuk kawalan motor yang tepat dan peraturan kelajuan dalam sistem automasi.
• DC Choppers
Digunakan dalam sistem Balas voltan DC laras, seperti pemacu daya tarikan atau penukar penyimpanan tenaga.
• Invertters resonan dan kimpalan
Ideal untuk keperluan kuasa frekuensi tinggi dalam litar resonan dan mesin kimpalan.
• Pemacu motor AC
Digunakan dalam aplikasi kawalan motor untuk pemacu, pam, pemampat, dan sistem HVAC.
• Bekalan kuasa laser
Digunakan dalam memandu dan mengawal kuasa untuk sistem laser, menuntut prestasi beralih cepat.
• Peralatan Bekalan Kuasa UPS (Bekalan Kuasa Tidak Bercerai)
Memastikan konsisten, beralih yang boleh dipercayai Dringuring kuasa interaksi kuasa, menyokong sandaran kuasa lancar.
Simbol
|
Keadaan
|
Nilai
|
Unit
|
IGBT
|
VCES
|
TJ = 25 ° C
|
1200
|
V
|
IC
|
TJ = 150 ° C
|
200
|
A
|
|
Tcase = 25 ° C
|
300
|
A
|
|
Tcase = 85 ° C
|
180
|
A
|
ICRM
|
ICRM = 2 × ICNOM
|
300
|
A
|
VGes
|
|
± 20
|
V
|
tPSC
|
VCC = 600 V;VGE = 20 V;Vces <1200 V;TJ = 125
° C.
|
10
|
μs
|
Diod songsang
|
IF
|
TJ = 150 ° C
|
200
|
A
|
|
Tcase = 25 ° C
|
300
|
A
|
|
Tcase = 80 ° C
|
180
|
A
|
IFrm
|
Ifrm = 2 × ifnom
|
300
|
A
|
IFSM
|
TP = 10 ms;Dosa.
|
1440
|
A
|
Diode freewheeling
|
IF
|
TJ = 150 ° C
|
200
|
A
|
|
Tcase = 25 ° C
|
300
|
A
|
|
Tcase = 80 ° C
|
180
|
A
|
IFrm
|
Ifrm = 2 × ifnom
|
300
|
A
|
IFSM
|
TP = 10 ms;Dosa.
|
1440
|
A
|
Modul
|
URms
|
|
500
|
V
|
TVJ
|
|
-40 ... +150 (125)
|
° C.
|
TSTG
|
|
-40 ... +125
|
° C.
|
VIsol
|
AC, 1 min.
|
2500
|
V
|
Simbol
|
Keadaan
|
min.
|
Typ.
|
Maks.
|
Unit
|
VGe (th)
|
Vge = vce, ic = 6 ma
|
4.5
|
5.5
|
6.5
|
V
|
ICES
|
VGE = 0 V, VCE = VCES, TJ = 25 ° C
|
0.1
|
0.3
|
0.9
|
Ma
|
|
TJ = 125 ° C
|
0.4
|
1.2
|
3
|
Ma
|
VCE0
|
TJ = 25 ° C
|
1.34
|
1.93
|
2.5
|
MΩ
|
RCE
|
VGE = 15 V, TJ = 25 ° C
|
7.33
|
9.33
|
13.3
|
MΩ
|
|
TJ = 125 ° C
|
11.3
|
12.6
|
20.2
|
MΩ
|
VCE (Sabtu)
|
Icnom = 150 a, vge = 15 v, tj = tc chiplev.
|
2.5
|
-
|
-
|
V
|
Cies
|
VGE = 25 V, VCE = 0 V, F = 1 MHz
|
10
|
13
|
-
|
nf
|
COes
|
|
1.5
|
1.9
|
-
|
nf
|
CRes
|
|
0.8
|
1.2
|
-
|
nf
|
QG
|
VGE = -8 V ... +20 V
|
-
|
1500
|
-
|
NC
|
RGint
|
TJ = ° C
|
-
|
2.5
|
-
|
Ω
|
td (on)
|
RGON = 5.6 Ω, VCC = 600 V, IC = 150 a
|
220
|
400
|
-
|
ns
|
tR
|
|
40
|
100
|
-
|
ns
|
EPada
|
RGON = 5.6 Ω, VCC = 600 V, IC = 150 A, TJ = 125 ° C,
VGE = -15 v
|
24
|
48
|
-
|
MJ
|
tD (mati)
|
Rgoff = 5.6 Ω
|
600
|
800
|
-
|
ns
|
tf
|
|
70
|
100
|
-
|
ns
|
Emati
|
|
17
|
30
|
-
|
MJ
|
RTH (J-C)
|
per igt
|
-
|
0.09
|
-
|
K / w
|

Garis besar pembungkusan SMM200GAL123DKLD menunjukkan perumahan Semitranns® 2 padat dengan panjang 106.4 mm, lebar 61.4 mm, dan ketinggian kira -kira 30 mm.Lukisan ini menyediakan pandangan kedua -dua dan sisi, menunjukkan kedudukan terminal, lubang pemasangan, dan ketinggian modul.
Pada Atas, Terdapat tiga terminal utama (1, 2, dan 3) jarak 22.5 mm, digunakan untuk sambungan kuasa.Terminal skru M6 memastikan hubungan elektrik yang kuat, manakala pin kawalan kecil di sebelah menyambung ke pintu gerbang dan pemancar tambahan.
The Pandangan sampingan Menyoroti ketinggian keseluruhan dan pelepasan baseeplat, yang menyokong pemindahan haba yang baik dan penebat elektrik.Secara keseluruhannya, reka bentuk ini memastikan pemasangan ensy, sambungan yang stabil, dan penyejukan dengan cekap dalam sistem kuasa tinggi.
Kelebihan
|
Kekurangan
|
Inducatance dalaman yang rendah dan sambungan pendek membantu
Mencegah ayunan dan memastikan penukaran berkelajuan tinggi yang stabil.
|
Tidak sesuai untuk penguatan linear, kerana itu
Stricks yang direka untuk beralih.
|
Input pintu masuk menjadikan memandu lebih mudah dan banyak lagi
Responsif.
|
Maklumat awam terhad mengenai akhiran "DKLD",
yang nampaknya menunjukkan butiran pembungkusan atau variasi.
|
Arus ekor yang hilang dengan suhu minimum
Ketergantungan meningkatkan kecekapan beralih dan mengurangkan kerugian.
|
Memerlukan penyejukan yang berkesan, kerana penilaian kuasa tinggi
Menjana haba yang ketara yang boleh menjejaskan prestasi.
|
Keupayaan litar pintas yang tinggi, membatasi diri untuk
Sekitar enam kali arus nominal, menambah perlindungan perlindungan yang kuat.
|
|
Diod cal freewheeling cepat dan lembut menurunkan
Menukar tekanan dan mengurangkan EMI.
|
|
Baseplate tembaga terpencil dengan ikatan tembaga langsung
(DCB) menyediakan pembuangan haba yang sangat baik dan penebat elektrik.
|
|
Reka bentuk mesra alam dengan sukar
Membentuk.
|
|
• Tekanan panas atau terma
Arus yang berlebihan, penyejukan yang lemah, atau aliran udara boleh menyebabkan modul terlalu panas dan memendekkan Iospan.Untuk mengelakkan ini, gunakan heatsinks yang cekap, pastikan pengudaraan yang baik, dan laluan aliran udara yang kerap bersih sambil memeriksa peminat atau sistem penyejukan cecair.
• Overcurrent atau litar pintas
Pendup beban yang tidak dijangka atau lonjakan semasa boleh menolak peranti melampaui had selamat dan menyebabkan selak atau kegagalan.Ini boleh dicegah dengan menggunakan litar pelindung seperti snubbers dan limit semasa manakala modways menjamin modways workin ichin icyperates.
• Overvoltage atau pancang voltan
Penukaran cepat boleh membuat voltan voltan melangkaui toleransi dan merosakkan peranti.Menambah litar snubber atau varicistors, dan pemacu gerbang yang dioptimumkan, membantu subpresif ini pancang hamfuls.
• Masalah pemacu EMI dan pintu gerbang
Reka bentuk pemacu gerbang yang lemah boleh membawa kepada penukaran yang tidak stabil dan prestasi yang tidak menentu.Penyelesaiannya adalah menggunakan asas, pelindung, dan rintangan pintu yang betul, memastikan isyarat yang bersih dan stabil pada setiap masa.
• Tekanan mekanikal atau kerosakan menangani
Pemasangan, getaran, atau kegelisahan yang tidak betul boleh merosakkan sambungan dalaman atau penebat.Instaltion selamat, pengendalian yang teliti, dan pemeriksaan visual rutin membantu mencegah isu -isu ini.
SKM200GAL123D
SKM200GAL123D
SEMIKRON
IGBT Modules
In Stock: 6924 pcs
SKM200GB063D
SKM200GB063D
SEMIKRON
IGBT Modules
In Stock: 6925 pcs
SKM200GB126D
SKM200GB126D
Semikron
IGBT Modules
In Stock: 432 pcs
SKM200GAR173D
SKM200GAR173D
SEMIKRON
IGBT Modules
In Stock: 5200 pcs
Ciri
|
SKM200GAL123DKLD
SKM200GAL123DKLD
SEMIKRON
IGBT Modules
In Stock: 5100 pcs
|
SKK200GAL123D (varian teras)
|
Jenis IBT
|
N-channel igt
dengan diode freewheeling (jenis gal)
|
N-channel igt
dengan diode freewheeling (jenis gal)
|
Input pintu
|
MOS Gate (Voltan dikawal)
|
MOS Gate (Voltan dikawal)
|
Induksi & reka bentuk
|
Induktansi rendah, reka bentuk padat
|
Kes induktansi rendah
|
Tingkah laku semasa ekor
|
Arus ekor yang hilang, pergantungan suhu rendah
|
Arus ekor yang hilang, pergantungan suhu rendah
|
Keupayaan litar pintas
|
Tinggi, lebih kurang.Arus nominal 6 ×
|
Tinggi, lebih kurang.Arus nominal 6 ×
|
Rintangan selak
|
Reka bentuk percuma selak
|
Reka bentuk percuma selak
|
Diode freewheeling
|
Diod Cal Fast & Soft (diod songsang
|
Diod Cal Fast & Soft (diod songsang
|
Teknologi Baseplate
|
DCB (ikatan tembaga langsung), penyaduran terpencil
|
DCB (ikatan tembaga langsung), penyaduran terpencil
|
Jarak creepage / clearance
|
Tidak ditentukan untuk varian DKLD
|
13 mm, creepage 20 mm
|
Penggunaan Beralih
|
Dioptimumkan untuk menukar (bukan penggunaan linear)
|
Dioptimumkan untuk menukar (bukan penggunaan linear)
|
Voltan & penilaian semasa
|
Dianggap 1200 V, 200 a
|
1200 v vces, 200 A IC, ICM 400 a (1 ms)
|
Pelepasan kuasa maksimum
|
Dianggarkan ~ 1040 w
|
1380 W per igt di TCase = 25 ° C
|
Spesifikasi elektrik lain
|
Sama serupa dengan varian asas
|
Ambang ~ 4.5-6.5 V, tr ~ 100-200 ns
|
SKM200GAL123DKLD
SKM200GAL123DKLD
SEMIKRON
IGBT Modules
In Stock: 5100 pcs
adalah modul yang boleh dipercayai yang mengimbangi kuasa, keselamatan, dan kecekapan untuk sistem elektronik moden. Ia berfungsi dengan baik dalam pemacu, bekalan kuasa, unit UPS, dan automasi, dan automasi, menjadikannya pilihan praktikal untuk enjin yang memerlukan penukaran kuasa tinggi yang stabil.Dengan mengikuti amalan terbaik untuk penyejukan, perlindungan, dan pengendalian, pengguna boleh mendapatkan kebanyakan dunia.
Datasheet pdf
SKK200GAL123DKLD Datasheets
SKK200GAL123DKLD Butiran pdfSKK200GAL123DKLD Butiran pdf untuk fr.pdfSKK200GAL123DKLD Butiran PDF untuk KR.PDFSKK200GAL123DKLD Butiran pdf untuknya.pdfSKK200GAL123DKLD Butiran pdf untuk es.pdfSKK200GAL123DKLD Butiran pdf untuk de.pdf
Kongsi siaran ini