Pada 16 Jun waktu tempatan, Simposium 2026 mengenai Teknologi & Litar VLSI dibuka, di mana Intel Foundry mendedahkan status pelaksanaan terkini proses Intel 18A-P dan mengumumkan tiga pencapaian penyelidikan lanjutan yang bertujuan untuk pengembangan cip jangka panjang.
Intel Foundry berkata Intel 18A-P adalah iterasi pertama yang ditingkatkan prestasinya daripada keluarga proses Intel 18A dan telah secara rasmi memasuki peringkat pengeluaran risiko. Berdasarkan platform proses Intel 18A yang asas, Intel Foundry telah membawa dua teknologi teras ke pasaran: transistor gate-all-around GAA RibbonFET dan penghantaran kuasa belakang BSPD PowerVia. Intel 18A-P sepenuhnya serasi dengan peraturan reka bentuk Intel 18A yang sedia ada, membolehkan pelanggan untuk terus menggunakan perpustakaan IP dan aliran reka bentuk semasa. Menurut angka yang didedahkan di lokasi, berbanding dengan proses Intel 18A standard, Intel 18A-P boleh memberikan peningkatan prestasi sebanyak 9% pada kuasa yang sama atau pengurangan kuasa sebanyak 18% pada prestasi yang sama, sambil juga mengoptimumkan metrik utama seperti rintangan haba cip dan rintangan lubang antara lapisan.
Selain kemajuan dalam pelaksanaan nod lanjutan yang matang, Intel Foundry juga mendedahkan tiga sampel penyelidikan yang bercita-cita tinggi di simposium, semuanya direka untuk menyokong pengembangan cip yang berterusan dalam generasi teknologi akan datang.
Yang pertama adalah teknologi transistor efek lapangan pelengkap CFET monolitik. Intel mempersembahkan penyongsang CFET bertindih secara menegak yang menampilkan konfigurasi PMOS atas dan NMOS bawah, dengan jarak pintu 45 nm. Seni bina menegak ini menawarkan jalan berpotensi untuk pengembangan kawasan cip logik yang lebih lanjut melebihi transistor GAA. Data ujian berkaitan juga dimasukkan dalam kertas teknikal VLSI rasmi.
Yang kedua adalah proses wafer-level 300 mm untuk integrasi monolitik nitrida galium dan silikon yang berasaskan logik. Intel menyelesaikan demonstrasi integrasi heterogen pada wafer yang sama, menghasilkan peranti kuasa GaN dan modul kawalan digital berasaskan silikon yang mengandungi kira-kira 1,000 pintu logik pada substrat silikon 300 mm tunggal. Menurut bahan syarikat, pendekatan ini boleh membolehkan penghasilan peranti kuasa yang cekap tinggi dan unit kawalan digital skala besar di dalam aliran proses yang bersatu, mengurangkan keperluan pembungkusan berlapis dan kehilangan sambungan luar yang berkaitan dengan penyelesaian cip diskret, sambil mengurangkan kerumitan reka bentuk sistem keseluruhan untuk IC kuasa.
Yang ketiga adalah teknologi interkoneksi rutenium penambah dengan jurang udara terintegrasi. Berbanding dengan skema interkoneksi tembaga konvensional yang digunakan secara meluas di seluruh industri, interkoneksi rutenium yang digabungkan dengan pengasingan jurang udara boleh mengurangkan kapasitans parasit garisan sehingga 35% dan meningkatkan frekuensi operasi cip dengan ketara. Teknologi ini bertujuan untuk membantu mengatasi leher botol kelewatan RC yang disebabkan oleh pengembangan interkoneksi yang berterusan dalam nod proses lanjutan.