Pasaran memori global terus menyimpang, kerana dua pengeluar memori terkemuka Korea Selatan menumpukan pada pengembangan kapasiti 1c DRAM dan HBM sambil memperlahankan rentak pembangunan denyar NAND generasi akan datang.Peralihan ini telah mewujudkan tingkap pasaran yang berharga untuk pakatan Kioxia-Sandisk.
Menurut Global Economic, memetik cawangan teknologi Jerman ComputerBase, Kioxia dan Sandisk bersedia untuk meningkatkan pelaburan NAND mereka dengan ketara, memanfaatkan teknologi dan kapasiti pengeluaran mereka untuk menangkap permintaan dalam pasaran storan pusat data AI.
Data menunjukkan bahawa pakatan NAND A.S.-Jepun merancang untuk membelanjakan $4.5 bilion dalam perbelanjaan modal tahun fiskal ini, bersamaan dengan 6.75 trilion won, menandakan peningkatan 41% tahun ke tahun.Pelaburan itu akan tertumpu terutamanya pada produk NAND seni bina BiCS generasi kesepuluh.
Menurut Nikkei, Kioxia merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran NAND generasi akan datang di kilang Kitakami di Prefektur Iwate, Jepun, pada 2026. Seni bina produk akan meningkat daripada NAND 218 lapisan generasi kelapan kepada NAND 332 lapisan.Pengeluaran akan menggunakan rangkaian K2 yang mula beroperasi pada September lalu, membolehkan syarikat itu menggunakan sumber pembuatan sedia ada dengan lebih baik.
Pengembangan kapasiti terkini dipacu oleh pertumbuhan permintaan struktur daripada industri AI.Apabila pembangunan AI beralih daripada binaan latihan infrastruktur kepada penggunaan inferens berskala besar, permintaan untuk produk storan berprestasi tinggi dan berkapasiti tinggi terus meningkat.Penyedia perkhidmatan awan utama memperuntukkan lebih banyak perbelanjaan modal pusat data kepada storan, manakala kapasiti SSD bagi setiap GPU meningkat dua kali ganda dari tahun ke tahun.Pelayan AI generasi akan datang kini biasanya dilengkapi dengan storan berpuluh-puluh terabait bagi setiap GPU, seterusnya memacu permintaan untuk NAND mewah.
Menurut ZDNet, Kioxia telah menetapkan pengeluaran besar-besaran BiCS NAND generasi kesepuluh sebagai objektif teras untuk fiskal 2026. Berbanding dengan generasi 218 lapisan sebelumnya, produk baharu itu menawarkan peningkatan 59% dalam ketumpatan storan setiap unit kawasan dan peningkatan 33% dalam kelajuan pemindahan data.Kelebihan teknikal utamanya terletak pada mencapai ketumpatan storan ultra-tinggi dengan lapisan bertindan yang lebih sedikit, yang membantu memudahkan goresan menegak, mengurangkan haus pada peralatan canggih, mengurangkan kecacatan warpage wafer dan meningkatkan kos pengeluaran dengan ketara.Seni bina QLCnya boleh mencapai ketumpatan 37.6Gb/mm², mengatasi prestasi produk seni bina 430 lapisan V10 yang dirancang oleh Samsung.
Berbeza dengan pengembangan kapasiti yang agresif oleh syarikat A.S. dan Jepun, pengeluar memori Korea secara meluas memperlahankan pelan hala tuju teknologi NAND mereka.Data TrendForce menunjukkan bahawa pembekal NAND global utama dijangka menambah sedikit atau tiada kapasiti baharu pada 2026. Samsung telah menangguhkan pengeluaran besar-besaran NAND 430-lapisan generasi kesepuluhnya sehingga selepas 2027 dan masih belum memuktamadkan pesanan perolehan peralatan.
Penganalisis industri percaya bahawa jika Kioxia dan Sandisk terus meningkatkan kos dan mempercepatkan penggunaan SSD QLC gred perusahaan, mereka boleh mengembangkan lagi bahagian mereka dalam pasaran storan pusat data AI.Samsung dan SK hynix, disokong oleh hasil produk generasi kesembilan matang dan perhubungan pelanggan kerajaan dan perusahaan yang kukuh, akan kekal berdaya saing tinggi.Industri NAND global dijangka memasuki fasa baharu persaingan.