Pilih negara atau rantau anda.

Samsung Mengatakan HBM5 Akan Menggunakan Proses GAA 2nm, Memberikan Peningkatan Prestasi Lebih 50% Berbanding HBM4E

HBM4E

Pada 27 Julai, Samsung Electronics mengeluarkan temu bual rasmi dengan Koo Ja-hyun, ketua pengembangan teknologi untuk perniagaan semikonduktor syarikat. Dalam temu bual itu, Samsung menerangkan untuk kali pertama seni bina proses, peningkatan prestasi yang dijangkakan, dan aplikasi sasaran untuk memori lebar jalur tinggi HBM5 generasi akan datang, memberikan panduan yang lebih jelas untuk peta jalan HBM industri.

Koo berkata HBM5 dijangka berfungsi lebih dari 50% lebih cepat berbanding generasi HBM4E yang kini dihasilkan secara massal. Die asas teras akan dihasilkan menggunakan proses transistor pintu-sekeliling 2-nanometer dan digabungkan dengan teknologi via-silikon melalui yang lebih ditingkatkan dan sangat terintegrasi. Reka bentuk ini bertujuan untuk memberikan peningkatan prestasi di seluruh seni bina transistor, teknologi proses wafer, dan sambungan bertumpuk.

Samsung akan membina pengalaman proses dan kemampuan pengeluaran massanya yang diperolehi daripada penghasilan die asas HBM4 di nod 4-nanometernya. Dengan memperkenalkan proses 2-nanometer yang maju ke dalam HBM5 lebih awal, syarikat berhasrat untuk mengukuhkan kedudukan teknologinya di pasaran memori AI kelas atas.

Dari segi pengembangan pasaran, Samsung merancang untuk menggunakan HBM5 sebagai produk teras untuk meluaskan liputan pelanggannya di pelbagai pasaran. Selain menyokong latihan model besar AI dan aplikasi pengkomputeran berprestasi tinggi, produk itu dijangka akan meluas ke peranti mudah alih, elektronik automotif, robot humanoid, dan segmen emergen lain. Melalui produk memori kelas atasnya, Samsung bertujuan untuk memenuhi permintaan pengkomputeran di pelbagai kategori peranti dan memperluas ekosistem semikonduktornya.

Temu bual itu mencerminkan rancangan pengembangan teknologi semasa Samsung. Syarikat tidak mendedahkan butiran mengenai ramp hasil untuk proses GAA 2-nanometernya, cabaran pengeluaran massal pengumpulan TSV yang sangat terintegrasi, atau jadual sampling dan pengeluaran massa untuk HBM5.

Pemerhati industri secara meluas menjangkakan HBM5 akan menjadi penyelesaian memori standard untuk pemecut AI kelas atas sekitar tahun 2028. Butiran tambahan mengenai spesifikasi produk, kelayakan pelanggan, dan kapasiti pengeluaran dijangka akan dikeluarkan pada acara teknologi Samsung atau taklimat pendapatan di masa depan.