Menurut sumber industri yang dipetik oleh ZDNet, Samsung Electronics sedang menilai semula tujuan NRD-K Line 2, yang sedang dalam pembinaan di kampus Giheung. Syarikat ini sedang mempertimbangkan untuk menukarkan barisan penyelidikan dan pembangunan yang awalnya dirancang kepada barisan pengeluaran pembuatan yang khusus untuk menghasilkan die asas logik 2nm bagi memori jalur lebar tinggi (HBM) generasi akan datang. Langkah ini bertujuan untuk bersedia menghadapi permintaan HBM yang semakin meningkat daripada pelanggan utama seperti Nvidia.
Menurut sumber industri yang dipetik oleh ZDNet, Samsung Electronics sedang menilai semula tujuan NRD-K Line 2, yang sedang dalam pembinaan di kampus Giheung. Syarikat ini sedang mempertimbangkan untuk menukarkan barisan penyelidikan dan pembangunan yang awalnya dirancang kepada barisan pengeluaran pembuatan yang khusus untuk menghasilkan die asas logik 2nm bagi memori jalur lebar tinggi (HBM) generasi akan datang. Langkah ini bertujuan untuk bersedia menghadapi permintaan HBM yang semakin meningkat daripada pelanggan utama seperti Nvidia.
NRD-K Line 2 pada awalnya direka untuk pembangunan proses maju. Di bawah pelan terbaru, kemudahan tersebut akan memberi bekalan utama untuk die asas bagi produk HBM yang disesuaikan dan HBM5 setelah mula beroperasi. Samsung telah memutuskan untuk menghasilkan die asas HBM5 menggunakan proses 2nm berdasarkan seni bina gate-all-around (GAA)nya. Produk generasi akan datang dijangka akan memberikan kadar pemindahan data lebih dari 50% lebih tinggi daripada HBM4E, menjadikan reka bentuk die asas konvensional semakin tidak mampu memenuhi keperluan jalur lebar dan penggunaan kuasa. Seoul Economic Daily sebelum ini melaporkan bahawa Samsung telah mendedahkan secara terbuka butiran tentang penyelesaian HBM5 untuk pertama kalinya pada bulan Jun tahun ini.
Garis ini dijadualkan untuk mula beroperasi pada separuh kedua tahun 2028. Sumber mengatakan bahawa kerana kemudahan ini relatif kecil, ia kemungkinan besar akan beroperasi di bawah model “send-fab” sebagai kilang fabrikasi tambahan. Daripada menangani keseluruhan proses pembuatan wafer secara bebas, ia akan menerima wafer daripada garis pengeluaran utama Samsung yang bervolume tinggi dan hanya melaksanakan langkah-langkah proses yang dipilih. Kemudahan ini akan melengkapkan kapasiti node maju Samsung dan bukannya beroperasi sebagai barisan pengeluaran yang lengkap dan berdikari.
Projek ini masih kira-kira dua tahun lagi dari pelancaran yang disasarkan, dan pelan akhir belum diluluskan. Walaupun cadangan dalaman telah pun berada di tempat, pesanan pembelian peralatan belum dikeluarkan. Jumlah pelaburan dan tujuan akhir kemudahan masih boleh disesuaikan sebagai respons kepada perubahan dalam permintaan pasaran semikonduktor.
NRD-K adalah kompleks penyelidikan dan pembangunan maju yang diintegrasikan yang sedang dibina oleh Samsung dengan pelaburan kira-kira 20 trilion won. Tapak ini dirancang untuk merangkumi tiga barisan pengeluaran. Garis 1 telah siap pada akhir 2024, sementara persiapan tapak awal untuk Garis 2 bermula tahun ini dan kerja asas sedang dijalankan.
Potensi Samsung untuk menukarkan barisan R&D menjadi barisan pembuatan khusus untuk die asas HBM mencerminkan strateginya untuk memperkukuh koordinasi antara perniagaan memori dan pengeluarannya. Produk HBM5 dan HBM yang disesuaikan yang direka untuk GPU Feynman generasi akan datang Nvidia akan memerlukan die asas logik berprestasi tinggi. Jika Samsung dapat menghasilkan die asas 2nm ini di dalam rumah, ia dapat mengukuhkan kedudukan kompetitifnya dan mendapatkan kawalan yang lebih besar ke atas kapasiti pengeluaran bagi komponen HBM teras.