SEOUL, Korea Selatan, 7 Ogos 2026 — SK hynix mengumumkan bahawa ia akan membina kemudahan fabrikasi semikonduktor baru di Yongin dan Cheongju, Korea Selatan, untuk memenuhi permintaan memori yang semakin meningkat dalam era AI.
Lembaga pengarah syarikat meluluskan pelaburan sebanyak KRW 35.2 trilion di fab Yongin Y2 dan KRW 19.1 trilion di fab Cheongju M17, untuk jumlah pelaburan kira-kira KRW 54.3 trilion.
Keputusan ini menandakan satu langkah lagi dalam melaksanakan strategi pelaburan jangka sederhana hingga panjang yang diumumkan pada bulan Jun. SK hynix sebelum ini mengumumkan rancangan untuk melabur KRW 600 trilion dalam Kumpulan Semikonduktor Yongin dan KRW 100 trilion dalam mengembangkan asas pengeluaran Cheongju. Pembinaan Y1, fab pertama di Yongin, sedang berlangsung seperti yang dirancang, sementara keputusan terkini ini memulakan fasa seterusnya pembangunan fab di Yongin dan Cheongju.
Menurut firma penyelidikan pasaran Omdia, permintaan di pasaran DRAM dan NAND flash dijangka meningkat pada kadar purata 19% setahun dari tahun lepas hingga 2030. SK hynix mengatakan bahawa pertumbuhan ini bukanlah satu kebangkitan industri sementara tetapi mencerminkan peralihan struktur di mana memori telah berkembang dari komponen umum kepada infrastruktur teras yang mempengaruhi prestasi AI.
“Dalam era AI, daya saing teknologi sahaja tidak lagi mencukupi untuk mengekalkan kelebihan. Keupayaan untuk menyediakan produk yang mencukupi apabila pelanggan memerlukannya telah menjadi ukuran sebenar daya saing,” kata SK hynix. “Keputusan pelaburan ini dibuat selepas penilaian menyeluruh terhadap permintaan pasaran.”
Y2 akan menjadi yang kedua daripada empat fab yang akan dibina secara berurutan dalam Kumpulan Semikonduktor Yongin. Dengan jumlah keluasan lantai kira-kira 341,000 pyeong, atau 1.13 juta meter persegi, kemudahan ini akan berfungsi sebagai asas pengeluaran DRAM.
Pembinaan dijadualkan bermula pada Julai 2027, dengan bilik bersih pertama dijangka dibuka pada Jun 2029. Fab ini akan menghasilkan produk DRAM generasi seterusnya, termasuk memori jalur lebar tinggi. Pembinaan fab Y1 juga berjalan dengan lancar, dengan bilik bersih pertamanya dijadualkan dibuka pada Februari 2027.
SK hynix sebelum ini memajukan sasaran penyelesaian keseluruhan Kumpulan Semikonduktor Yongin dari 2045 ke 2033, di mana semua empat fab dijangka siap. Projek Y2 mewakili fasa kedua dari rancangan yang dipercepatkan itu, dengan pelaburan akan dilakukan secara berperingkat sehingga Oktober 2031.
Pelaburan ini juga merangkumi pembinaan bangunan sokongan pekerja dengan kemudahan pejabat dan kebajikan, pusat R&D terintegrasi untuk pembangunan produk, eksperimen, pengujian dan analisis, serta infrastruktur berkaitan.*
*Infrastruktur berkaitan termasuk sistem rawatan air, kemudahan utiliti yang dikongsi untuk elektrik, komunikasi, air, pembetungan dan pengagihan haba, stesen pemindahan dan gudang.
Kumpulan Semikonduktor Yongin terletak di Wonsam-myeon, Cheoin-gu, Yongin, Gyeonggi Province, dan merangkumi kira-kira 1.26 juta pyeong, atau 4.16 juta meter persegi. Fasa pertama infrastruktur elektrik dan air yang diperlukan untuk menyokong Y2 telah siap 99% dan hampir selesai. Syarikat merancang untuk memajukan pembinaan fab dan infrastruktur secara selari supaya Y2 dapat berjalan mengikut jadual tanpa kelewatan pembinaan.
Apabila perkhidmatan AI semakin diterima secara meluas, permintaan untuk NAND flash semakin meningkat dengan pesat, yang diketuai oleh pemacu pepejal perusahaan. Permintaan untuk KV cache* dalam inferensi AI juga semakin meningkat, sementara penerimaan AI agentik dan AI fizikal yang muncul dijangka akan meluaskan lagi aplikasi NAND flash.
*KV cache adalah teknik yang menyimpan dan menggunakan semula vektor Key dan Value yang dihasilkan sebelum ini untuk mengurangkan pengiraan berulang dan meningkatkan kecekapan pemprosesan.
SK hynix memilih Cheongju sebagai asas pengeluaran NAND flash barunya kerana lokasi itu membolehkan syarikat mempercepatkan pembinaan. Kampus Cheongju sudah mempunyai kemudahan pengeluaran NAND flash M11, M12 dan M15, membolehkan fab baru memanfaatkan sinergi operasional dengan barisan pengeluaran yang sedia ada. Tapak, bekalan elektrik, bekalan air dan infrastruktur lain juga sudah banyak disediakan.
Fab M17 akan mempunyai keluasan lantai kira-kira 206,000 pyeong, atau 680,000 meter persegi. Pembinaan dijadualkan bermula pada Februari 2027, dan bilik bersih pertama dijangka dibuka pada Disember 2028. Pelaburan akan diteruskan sehingga April 2031 dan akan dilaksanakan secara berperingkat mengikut kemajuan perniagaan.
SK hynix berkata ia akan membuat pelaburan yang berorientasikan masa depan dalam infrastruktur pengeluaran berdasarkan perbincangan yang sedang berjalan dengan pelanggan mengenai keperluan jangka pendek dan jangka panjang mereka. Pembinaan kilang akan diteruskan seperti yang dijadualkan, manakala pengembangan bilik bersih dan pemasangan peralatan akan dilaksanakan secara berperingkat selaras dengan permintaan sebenar pelanggan dan keadaan pasaran untuk meningkatkan kecekapan pelaburan.
Syarikat itu mengharapkan pelaburan tersebut akan mengukuhkan asasnya untuk pertumbuhan masa depan, meningkatkan daya saing ekosistem semikonduktor Korea Selatan dan menyokong pembangunan ekonomi serantau. Projek berskala besar di Yongin dan Cheongju juga dijangka akan mencipta peluang pertumbuhan tambahan untuk syarikat rakan kongsi, menjana pekerjaan dan merangsang aktiviti komersial tempatan, menyumbang kepada pertumbuhan mampan ekonomi negara.
“Pelaburan ini bertujuan untuk meraih peluang pertumbuhan selaras dengan pengembangan pasaran,” kata seorang pegawai SK hynix. “Melalui perancangan infrastruktur yang berorientasikan masa depan, kami akan memastikan kapasiti pengeluaran yang diperlukan untuk menstabilkan rantaian bekalan semikonduktor AI global dan menjadikan SK hynix sebagai rakan utama dalam infrastruktur AI.”