Micron Technology MT41K512M8RH-107:E adalah litar bersepadu SDRAM DDR3L berprestasi tinggi yang direka khas untuk aplikasi pengkomputeran canggih dan memori yang memerlukan kapasiti besar. Komponen memori 4Gbit ini menawarkan prestasi kukuh dengan antaramuka selari dan fleksibiliti operasi yang luar biasa.
Direka untuk persekitaran teknikal yang mencabar, peranti ini beroperasi dalam julat suhu yang luas iaitu dari 0°C hingga 95°C, menjadikannya sesuai untuk aplikasi industri, automotif, dan penerbangan. Cip memori ini menggunakan pakej 78-FBGA (9x10.5) yang canggih, membolehkan integrasi papan yang padat dan efisien melalui teknologi permukaan pemasangan.
Spesifikasi teknikal utama termasuk masa akses pantas selama 20 nanodetik, menyokong pemprosesan data berkelajuan tinggi dengan frekuensi jam 933 MHz. Memori ini disusun sebagai 512M x 8, menyediakan pilihan konfigurasi memori yang fleksibel. Ia beroperasi dalam julat voltan bekalan yang tepat iaitu dari 1.283V hingga 1.45V, memastikan penggunaan tenaga yang stabil dan cekap.
SDRAM ini menggunakan teknologi DDR3L, menawarkan kecekapan tenaga dan prestasi yang lebih baik berbanding solusi memori generasi sebelum ini. Jenis memorinya yang bersifat sementara memastikan pengendalian data yang pantas dan kemampuan reset, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang memerlukan pemprosesan data segera dan penyimpanan sementara.
Kelebihan utama termasuk penggunaan tenaga yang rendah, pemindahan data berkelajuan tinggi, ketahanan suhu yang kukuh, dan faktor bentuk yang padat. Komponen ini sangat sesuai untuk sistem tertanam, infrastruktur telekomunikasi, peralatan rangkaian, dan platform pengkomputeran canggih.
Model setara atau alternatif di pasaran termasuk komponen SDRAM DDR3L yang serupa dari pengeluar seperti Samsung, Hynix, dan rangkaian produk Micron Technology lain yang mempunyai spesifikasi dan ciri prestasi yang sepadan.
Pematuhan komponen ini terhadap piawaian RoHS turut menegaskan kebolehpercayaan dari segi persekitaran dan teknologi, menjadikannya pilihan utama untuk keperluan reka bentuk elektronik moden.
MT41K512M8RH-107E Ciri Teknik Utama
Ciri-ciri Teknikal Utama termasuk kapasiti memori 4Gbit dan masa akses 20 ns untuk operasi yang pantas dan cekap dalam aplikasi berprestasi tinggi.
MT41K512M8RH-107E Saiz Pembungkusan
Saiz pembungkusan adalah jenis 78-FBGA berukuran 9x10.5 mm, dengan kod penutup bahan 138323 dan konfigurasi pin 78-pin menggunakan teknologi Ball Grid Array (BGA) dengan jarak yang halus untuk pemasangan permukaan yang boleh dipercayai dan pengeluaran haba yang baik.
MT41K512M8RH-107E Aplikasi
Produk ini direka untuk digunakan dalam sistem pengkomputeran berprestasi tinggi dan aplikasi menggunakan memori terdedah yang memerlukan akses memori yang cepat dan efisien. Ia sesuai untuk sistem pelayan, kad grafik canggih, peranti rangkaian, dan sistem terbina yang memerlukan teknologi DDR3L SDRAM untuk konfigurasi antara muka memori selari.
MT41K512M8RH-107E Ciri-ciri
MT41K512M8RH-107:E adalah SDRAM DDR3L 4Gbit yang mengintegrasikan antara muka memori paralel, dioptimumkan untuk penggunaan kuasa rendah dan pemindahan data kadar tinggi pada frekuensi jam 933 MHz. Ia dilengkapi teknologi pembetulan ralat dan integriti isyarat canggih untuk memastikan operasi stabil di bawah beban haba dan elektrik yang berbeza. Pakej BGA 78-balla yang halus membolehkan pemasangan atas permukaan yang boleh dipercayai dengan penghapusan haba dan prestasi elektrik yang cemerlang. Organisasi memori adalah 512M x 8, menyokong pengurusan data yang efisien dan akses yang pantas. Operasi pada voltan rendah antara 1.283V hingga 1.45V mengurangkan penggunaan kuasa sambil mengekalkan throughput data yang mantap. Masa akses 20 ns memastikan operasi memori yang responsif, penting untuk aplikasi yang menuntut prestasi tinggi. Produk ini mematuhi piawaian RoHS, menandakan perhatian terhadap aspek alam sekitar dan keselamatan kesihatan semasa pengilangan.
MT41K512M8RH-107E Ciri Kualiti dan Keselamatan
Module SDRAM DDR3L ini mematuhi piawaian kawalan kualiti ketat, dengan pematuhan disahkan terhadap peraturan RoHS yang memastikan bahan berbahaya diminimumkan. Reka bentuk pengkapsulan yang kukuh dan pakej BGA berjarak halus menyumbang kepada kebolehpercayaan mekanikal dan kestabilan haba, membantu mencegah kegagalan disebabkan haba dan tekanan fizikal. Produk ini menjalani ujian menyeluruh untuk parameter elektrik, ketepatan masa, dan ketahanan pemasangan bagi memastikan prestasi selamat dan konsisten dalam pelbagai keadaan operasi.
MT41K512M8RH-107E Keserasian
MT41K512M8RH-107:E serasi dengan pengawal memori DDR3L dan sistem yang menyokong operasi SDRAM voltan rendah 1.35V. Antara muka memori paralel dan bentuk tapak BGA 78-balla menjadikannya sesuai untuk pelbagai platform pengkomputeran moden yang memerlukan kapasiti memori 4Gbit dengan penggunaan kuasa rendah. Ia mudah disepadukan ke dalam reka bentuk yang menyasarkan frekuensi jam sehingga 933 MHz dan menyokong julat suhu operasi industri biasa, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi terbina dan komersial.
MT41K512M8RH-107E Lembaran Data PDF
Untuk maklumat teknikal yang paling sah dan komprehensif, pelanggan dinasihatkan memuat turun lembaran data rasmi MT41K512M8RH-107:E yang tersedia di laman web kami. Lembaran data ini menyediakan spesifikasi mendalam, rajah masa, ciri elektrik, butiran pakej, dan panduan aplikasi yang penting untuk proses reka bentuk dan pengujian. Mengakses lembaran data dari platform kami memastikan anda mendapatkan maklumat terkini dan paling dipercayai untuk keperluan kejuruteraan anda.
Pengedar Berkualiti
IC-Components adalah pengedar utama untuk produk Micron Technology, menawarkan sokongan pakar dan harga kompetitif untuk MT41K512M8RH-107:E. Kami berbangga dengan ketepatan inventori, penghantaran yang pantas, dan keaslian produk rasmi. Pelanggan yang mencari sumber yang boleh dipercayai dan berkualiti tinggi untuk modul DDR3L SDRAM ini dialu-alukan untuk memohon sebut harga peribadi melalui laman web kami dan merasai perkhidmatan pelanggan dan bantuan teknikal yang berdedikasi.
