Menurut United Daily News di Taiwan, Li Peiying, pengurus besar Cawangan Asia Selatan, mengumumkan pada hari ke-10 bahawa beliau telah menyelesaikan penyelidikan dan pembangunan bebas teknologi DRAM 10-nanometer dan akan memulakan pengeluaran percubaan pada separuh kedua tahun ini.
Dilaporkan bahawa cip memori DRAM global terutamanya dikawal oleh Samsung, SK Hynix, dan Micron. Bahagian mereka lebih daripada 95%. Alasan utama adalah bahawa ketiga-tiga paten teknologi ini membentuk ambang yang sangat tinggi. Adalah sukar bagi syarikat-syarikat lain untuk melepasi. .
Cabang Asia Selatan kini memberi tumpuan kepada teknologi 20nm, dan sumber teknologi adalah Micron. Dengan pengenalan proses 10-nanometer Nanya ke dalam teknologi bebas, ini bermakna ia tidak lagi bergantung kepada kebenaran Micron pada masa akan datang, dan setiap produk dibangunkan oleh syarikat itu sendiri. Kos dikurangkan.
Li Peiying berkata bahawa Nanyake telah berjaya membangunkan teknologi pengeluaran memori baru untuk 10nm DRAM, yang membolehkan pengecutan produk DRAM yang mampan selama sekurang-kurangnya tiga era. Generasi pertama 10nm produk utama, 8Gb DDR4, LPDDR4 dan DDR5, akan dibina di atas teknologi proses dan platform teknologi produk bebas, dan akan memasuki produk percubaan produk selepas separuh kedua 2020.
Teknologi proses 10-nanometer generasi kedua telah memulakan penyelidikan dan pembangunan, dan pengeluaran percubaan dijangka diperkenalkan pada 2022. Teknologi proses 10-nanometer generasi ketiga akan dibangunkan pada masa akan datang. Beliau menekankan bahawa selepas memasuki proses 10-nanometer, Nanya akan memberi tumpuan kepada teknologi maju, mengurangkan kos pelesenan dan meningkatkan kecekapan.
Selaras dengan perkembangan proses 10-nanometer, perbelanjaan modal Nanya akan lebih tinggi daripada 5.5 bilion yuan tahun lepas. Li Peiying berkata selain meningkatkan kos, teknologi proses pembangunan Nano yang berjaya secara bebas 10-nanometer akan membantu memahami peluang pembangunan dan kemajuan teknologi ke arah produk baru berkepadatan tinggi.